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    晶圓代工的最新動態
    更新時間:2019-02-22 發布:www.ujzr.tw

      隨著主流CMOS工藝達到其理論,實踐和經濟的極限,降低IC成本(基于每個功能或每個性能)比以往任何時候都更具挑戰性和挑戰性,這就驅使晶圓代工廠尋找更多的解決方法,不同于過往的工藝節點演進就是其中之一。ICInsights*的報告指出,現在晶圓廠提供的面向邏輯芯片的工藝技術比以往任何時候都多。圖1列出了公司目前使用的幾種*的*邏輯技術。由此可見,主要節點之間推行衍生版本技術已成為常規事件。

       下面我們來看一下目前主要晶圓廠的先進工藝進展:


       英特爾:他們在2018年末推出了代號為“CoffeeLake-S”的第九代處理器。英特爾稱這些處理器是新一代產品,但它們看起來更像是第八代產品的增強。雖然細節很少,但這些處理器似乎是在一個增強版本的14nm++工藝(是14nm+++?)上制造的。


       資料顯示,英特爾將于2019年推動10nm工藝的大規模生產,首批使用這個工藝的產品將是2018年12月推出的“SunnyCove”系列處理器。從目前看來,SunnyCove架構基本上取代了應該是原本計劃在2019年推出的10納米CannonLake架構。預計到2020年,10nm+衍生工藝將進入批量生產階段。


       臺積電:臺積電的10nmfinFET工藝于2016年底投入批量生產,短短兩年間,他們已經從10納米迅速發展至7納米。在臺積電看來,7nm產品將成為繼28nm和16nm之后的又一個長壽命節點。


       先進工藝方面,臺積電5納米工藝正在開發中,預計將于2019年上半年進入風險試產階段,并于2020年進入量產。該工藝將使用EUV,但它不會是臺積電利用EUV技術的*個工藝。根據臺積電規劃,他們將在7nm技術的改進版本N7+工藝的關鍵層(四層)上使用EUV光刻機。但N5工藝將廣泛使用EUV(*多14層)。N7+計劃于2019年第二季度開始批量生產。


       三星:在2018年初,三星宣布開始批量生產名為0LPP(lowpowerplus)的第二代10nm工藝。在2018年晚些時候,三星推出了名為10LPU(lowpowerultimate)的第三代10nm工藝,從另一個角度實現性能提升。與臺積電不同的是,三星在10nm工藝上使用三重圖案光刻技術,且三星認為其10納米工藝系列(包括8納米衍生產品)的生命周期將會很長。


       三星的7nm技術于2018年10月投入風險試產。與臺積電不一樣,三星不再提供采用浸沒式光刻技術的7nm工藝,而是決定直接上馬EUV的。據了解,三星該將EUV用于7nm的8-10層。


       格芯:格芯公司將其22nmFD-SOI工藝視為其主要市場,并與其14nmfinFET技術相輔相成。按照他們的說法,22FDX平臺的性能與finFET非常接近,但制造成本與28nm技術相同。


       2018年8月,GlobalFoundries宣布將停止7nm開發。按照他們的說法,做出這個決定一方面是因為先進技術節點的生產成本大幅增加,另一方面是太少的代工客戶計劃使用下一代工藝,因此他們對其戰略進行了重大轉變。公司也調整了其研發工作,以進一步增強其14nm和12nmfinFET工藝及其完全耗盡的SOI技術的競爭力。

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